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    Micro-LED巨量轉移難點(diǎn)與突破全解析

    編輯: 2024-08-15 14:13:12 瀏覽:133  來(lái)源:辰顯光電

     

    1.Micro-LED巨量轉移技術(shù)的重要性

     

    巨量轉移技術(shù)是Micro-LED顯示技術(shù)中的關(guān)鍵步驟,旨在將大量微小的LED芯片從生長(cháng)基板高效、精確地轉移到目標驅動(dòng)基板上,以構建高密度、高質(zhì)量的顯示陣列。由于Micro-LED的尺寸遠小于常規LED,轉移過(guò)程具有極高的挑戰性,尤其是在數量、速度、精度、良率、穩定性和成本方面。因此,巨量轉移技術(shù)成為了Micro-LED技術(shù)實(shí)現大規模產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵所在。

    2.Micro-LED巨量轉移技術(shù)的挑戰

     

    Micro-LED巨量轉移技術(shù)的主要挑戰在于高效率轉移、高可靠性鍵合、快速檢測和修復。由于一個(gè)顯示屏通常需要轉移數十萬(wàn)乃至上千萬(wàn)顆LED芯片,對轉移過(guò)程的精度、效率、穩定性等要求極高。高可靠性鍵合是指Micro-LED器件與背板結合的強度需要滿(mǎn)足產(chǎn)品的需求,避免產(chǎn)品使用過(guò)程中的新增壞點(diǎn)問(wèn)題?焖贆z測和修復是指能夠快速、準確地定位到屏體上壞點(diǎn)位置,并進(jìn)行替換,實(shí)現屏體的100%點(diǎn)亮。這些挑戰直接影響了Micro-LED技術(shù)的大規模產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

    3.辰顯光電如何提高M(jìn)icro-LED轉移效率和良率

     

    辰顯光電通過(guò)采用印章轉移和激光轉移技術(shù)相結合的方法,大幅提升了Micro-LED轉移的效率。印章轉移技術(shù)以其高精度和成熟的產(chǎn)業(yè)鏈特點(diǎn),在Micro-LED芯片的轉移過(guò)程中提供了穩定性和可靠性,但其轉移效率相對較低。激光轉移技術(shù)以其高效率和靈活性?xún)?yōu)勢,在Micro-LED芯片的轉移中展現出了其快速和適應性強的特性,尤其適合混bin技術(shù)的開(kāi)發(fā),但精度相對較低。這兩種技術(shù)的結合,使辰顯光電在轉移效率和精度上達到了最佳平衡。目前,辰顯光電的轉移效率已達到每小時(shí)1000萬(wàn)顆。為了提升轉移良率,辰顯光電從99.99%的轉移良率提高到99.995%僅用了3個(gè)月時(shí)間。辰顯光電的技術(shù)團隊不斷優(yōu)化印章和激光轉移工藝,改善工藝流程,提升基板加工精度,從而實(shí)現高良率轉移。

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